由本校电子所赖朝松教授与研究生杨家铭、吕增富及王泰权 ，于 IEDMS 2006大会提出论文“The Multi-Channel Measurements for pH-Sensitivity and Drift Coefficient of Thin Hafnium Oxide with CF4 Plasma Treatment”，荣获杰出论文奖。

　　本研究是针对化学感测组件，突破国际制程限制，利用以 HfO₂ 为感测膜，直接叠在 Silicon 基板的结构，经过 CF₄ Plasma 处理，调变不同 CF₄ Plasma 处理时间，进行感测度 ( sensitivity ) 及时漂 ( drift ) 现象探讨。为进一步探讨时漂现象，自行研发自动化多通道的量测程序，同时对量测系统进行集成，达成自动化及长时间监控量测之多重功能。

　　现阶段国际上有关离子感测薄膜结构，皆属于两层堆栈，本论文首度直接以 HfO₂ 感测膜沉积在 Silicon 基板上，并且加上电浆处理以改善特性。实验结果证实，没有经过 CF₄ Plasma 处理，感测度及稳定度较差，其感测度仅有 46.27 mV／pH，再经过五分钟 CF₄ Plasma 处理后，其感测度可提升至 49.52 mV／pH之理想值，此特性已经达到当前市面上 pH meter 产品规格之要求。展望未来，本论文之研究成果将可应用于血液离子、血糖等感测技术，为人类健康把脉跟出另一里程。

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